呼!
杨帆微微的吐了一口气，心中却是忍不住感叹。
现在华夏的速度是真的恐怖。
只要给了它发展的机会，就必然是一飞冲天。
简单的看完了目前的财务报表，杨帆随手把财务报表丢到了一边。
随后，杨帆直接来到了鸿蒙芯片。
查看一下梁梦松的进度如何。
目前来说，130纳米铜制程遭遇到的困难还是极大的。
整个半导体芯片当中，130纳米和20纳米可以说是最为难以攻克的两大难关。
130纳米之所以被称为是半导体技术世代中，天险障碍最高的一代，主要就在于铜制程、低介电系数（lowk）等过去未曾使用的新材料，是半导体制程里新的。
在另一个平行空间130纳米这是梁梦松搞定的。
而另外一个则是20纳米。
芯片都是采用MOSFET的结构，到现在已使用超过40年，当半导体研发人员想要研发20纳米以下芯片05的时候发现，当闸极长度缩小到20纳米以下的时候，遇到了许多问题，其中最麻烦的是当闸极长度愈小，源极和汲极的距离就愈近，闸极下方的氧化物也愈薄，电子有可能偷偷溜过去产生“漏电”另外一个更麻烦的问题，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度愈小，则闸极与通道之间的接触面积愈小，也就是闸极对通道的影响力愈小。
所以20纳米以下的芯片需要采用全新的FinFET技术，也叫做鳍式场效电晶体。
帮助三星突破的还是梁梦松。
这个家伙就是天才中的战斗机，现在杨帆是提前了两年杨梁梦松研究130纳米铜制程，那真是要钱给钱，要什么给什么。
除了这些，杨帆还在开发第四代浸没式光刻机，打算推出世界第一台浸没式光刻机，该设备采用折射率达到1.44的去离子水做为媒介，实现了45nm的制程工艺。
只要能够生产出来，那么自己就可以一举垄断市场。内容不全？请换个浏览器试试(推荐使用谷歌浏览器)~
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